直流電(diàn)壓是(shì)指單極性(正或負)的(de)持續電(diàn)€©β壓，它的(de)幅值用(yòng)算(suàn)術(shù)平±♦均值表示。由高(gāo)電(diàn)壓整流裝置産生(shēng)的(de)電(diàn)壓包含有∞δ$♥(yǒu)紋波的(de)成分(fēn)。因此™∏，高(gāo)壓絕緣試驗中使用(yòng)的(de)直流電(diàn)壓✘®，是(shì)由極性、平均值和(hé)紋波因數(shù)來(lái)表示的(de)。
根據不(bù)同試品的(de)要(yào)求，試驗電(diàn↕&)壓應能(néng)滿足試驗的(de)極性和(hé)電(diàn)壓值，還(hái)必須具有(yǒ↑♦λu)充分(fēn)的(de)電(diàn)源容量。紋波因數(shù)是(shì)指σπΩ♦紋波幅值與其直流電(diàn)壓算(suàn)術(shù)$→平均值之比。紋波幅值是(shì)指紋波的(de)最≈≥大(dà)值與最小(xiǎo)值之差的(de)一(yī)半♥∑÷<。在輸出工(gōng)作(zuò)電(diàn±♥)流下(xià)直流電(diàn)壓的(de)紋波因數(shù)S應按式(1)計(jΩδ♦&ì)算(suàn)，且S不(bù)大(dà)于3%(見(jiàn)ε≤ ®圖1)，即：
S=Umax-Umin/2Ud×100% &nλ★↑£bsp; (1)
式中：
Umax——直流電(diàn)壓的(de)最大(dà)值；
Umin——直流電(diàn)壓的(de)最小(xiǎo>✔§∑)值；
₽Ud——直流電(diàn)壓的(≤•δde)平均值。
在現(xiàn)場(chǎng)直流電(dià♥'n)壓絕緣試驗中，為(wèi)了(le)防止外(wàδ&≈i)絕緣的(de)閃絡和(hé)易于發現(xiàn)絕緣受潮等缺陷，通(tōng)常φσ∞<采用(yòng)負極性直流電(diàn)壓。
産生(shēng)直流高(gāo)電(diàn)壓，主要(£≠yào)是(shì)采用(yòng)将交流高(gāo)電(diàn)壓進行(xí ♥♦₩ng)整流的(de)方法。普遍使用(yòng)高(gāo)壓矽堆作(zuò)為(wèi)π☆整流元件(jiàn)。電(diàn)源一(yī)般↓≤使用(yòng)工(gōng)頻(pín)電(diàn)源；對(duì)于電÷↔(diàn)壓較高(gāo)的(de)串級整流裝置，為(wèi)了(le)減輕設備的(de)✔"重量，也(yě)廣泛采用(yòng)中頻(✘<₹pín)電(diàn)源。獲得(de)直流高(gāo)電(diàn)壓的(d✔ e)回路(lù)很(hěn)多(duō)，可(kě)根據變壓器σε∏(qì)、電(diàn)容器(qì)、矽堆等元件(jiàn)的(de)參數(shù)組成不¶ £←(bù)同的(de)整流回路(lù)。現(xiàn)★ ≠場(chǎng)常用(yòng)的(de)基本回δ✘≠≠路(lù)有(yǒu)半波整流回路(lù)、倍壓整流回路(lù☆•∑®)和(hé)串級整流回路(lù)。表1-1給出了(le)這(z÷↑>hè)些(xiē)回路(lù)的(de)接線圖、直流電(diàn)壓及其紋波因數(shù)。
| 整流型式 | 接線圖 | 直流電(diàn)壓 | 紋波因素 | 符号說(shuō)明(míng) |
| 半波整流 |
 |
Ud﹦Um‐Id/2Cƒ | S﹦Id/2CƒUd |
T——試驗變壓器(qì)； C——濾波電(diàn)容器(γλqì)； D——整流矽堆； R——保護電(diàn)阻器(qì)； Ud——直流電(diàn)壓(平均值)； Um——整流電(diàn)壓峰值； Id——被試品直流電(diàn)流(σ↔≥©平均值)； ƒ—&mdaσ•↑sh;電(diàn)源頻(pín)率； S——電(©↔diàn)壓波形因素； n——發生(shēng)器(qì)串接級數(shù)。 |
| 倍壓整流 |
 |
Ud﹦2Um‐3Id/2Cƒ | S﹦Id/2CƒUd | |
| 串級整流 |
 |
Ud﹦2nUm‐Id/6Cƒ·(4n2﹢3n2﹢2n) | S﹦[n(n﹢1)Id]/4CƒUd | |
| ππσ; 注：紋波因數(shù)S的(de)汁算(suàn)±₹式隻适用(yòng)于正弦波電(diàn)源。 | ||||
1.2.2.1 保護電(diàn)阻器(qì)
為(wèi)了(le)限制(zhì)試品放(fànπ×g)電(diàn)時(shí)的(de)放(fàng)電(diàn)電(diàn)流，保護葉堆≤€、微(wēi)安表及試驗變壓器(qì)，高(gāo)壓側保護電(diàn)阻器(qì)的(¶☆de)電(diàn)阻值可(kě)取：
R=(0.001～∏∏∞0.01)×(Ud/Id) (≈¥2)
式中：
R—&m$★dash;高(gāo)壓側保護電(diàn)阻器(qì)的(de)電(diàn)阻值>γ₽，Ω；
←≈€• Ud——直流試驗電(diàn)壓值，V；
Id——試品電(diàn)流，A。
Id較大(dà)時(shí)，為(wèi)減少(shǎo)R發執，可(kě)取式中φ♦≤π較小(xiǎo)的(de)系數(shù)。R的(de)外(wài)絕緣應能(néng)耐受幅值為(★∑"Ωwèi)Ud的(de)沖擊電(diàn)壓，并留有(yǒu)适當裕度。推薦參照(zhào)<φ¶δ表1-2所列的(de)數(shù)值選用(yòng)。
|
直流試驗電(diàn)壓 (kV) |
電(diàn)阻值 (MΩ) |
電(diàn)阻器(qì)表面絕緣長(cháng)度不(b®> ù)小(xiǎo)于 (mm) |
| 60及以下(xià) | 0.3～0.5 | 200 |
| 140～160 | 0.9～1.5 | 500600 |
| 500 | 0.9～1.5 | 2000 |
高(gāo)壓保護電(diàn)阻器(qì)↓₩÷™通(tōng)常采用(yòng)水(sh¶ ♣uǐ)電(diàn)阻器(qì)，水(shuǐ)電(diàn)阻管內(nèi)徑₩ε׶一(yī)般不(bù)小(xiǎo)于12mm。采用(yòng)÷♠←其他(tā)電(diàn)阻材料時(shí)應注意防止放(fàng)電→∞♠"(diàn)短(duǎn)路(lù)。
1.2.2.2 矽堆
高(gāo)壓矽堆上(shàng)的(de)反↓$÷峰電(diàn)壓使用(yòng)值不(bù)能(né♦•$≤ng)超過矽堆的(de)額定電(diàn)壓，其額定整流電(diàn)♥≤α流應大(dà)于工(gōng)作(zuò)電(diàn)流，并₽✔&有(yǒu)一(yī)定的(de)裕度。
在利用(yòng)矽堆整流而其單個(gè)的(de)電(diàn)壓不(bù)夠≤✘，需要(yào)采用(yòng)多(duō)隻串聯的(de)辦法時(shí)，必須注意•♥±±使其電(diàn)壓分(fēn)布均勻。為(>←♠wèi)此，通(tōng)常宜采用(yòng)并聯電(diàn)阻和(¶ ®hé)電(diàn)容的(de)方法。從(cóng)現(xiàn)場(chǎng)易于實現(xiβ≥÷àn)的(de)角度來(lái)看(kàn)∞∞δΩ，也(yě)可(kě)以僅并聯均壓電(diàn)♠α♣阻，其數(shù)值一(yī)般為(wèi)矽堆反向電(diàn)阻的(de)1/3～1/4。如( ™≥rú)按此值所選的(de)電(diàn)阻值✘✘÷過高(gāo)而不(bù)易達到(dào)時♦λα(shí)，可(kě)适當減小(xiǎo)為(wèi)1000MΩ。
1.2.2.3 濾波電(diàn)容器(qì)
試驗小(xiǎo)電(diàn)容量的(de)試品并要(yào)求準确讀(dú)取λγ電(diàn)流值時(shí)，例如(rú)測量帶并聯電(dià"↑±↕n)阻的(de)閥型避雷器(qì)電(diàn)導電(diàn)流時(sh☆®★♦í)，應加濾波電(diàn)容器(qì)。濾波電(diàn)容器(qì♠♦♥₩)一(yī)般取0.01μF～0.1μF。對(du↓∑ì)于電(diàn)容量較大(dà)的(de)試品，如(rú)電(diàn)©∞♥§纜、發電(diàn)機(jī)、變壓器(qì)等，通(tōng•≥•)常不(bù)用(yòng)濾波電(diàn)容器(q∞ ≈ì)。
對(duì)洩漏電(diàn)流很(hěn)小(xiǎo)，♣♥£ 并僅作(zuò)粗略檢查性的(de)試驗，如(rú)測量斷路(lù)"εε器(qì)支持瓷套及拉杆的(de)洩漏電(diàn)流，也(yě)可(kě)不(bù)用(yòngπ≈©)濾波電(diàn)容器(qì)。
1.3.1.1 高(gāo)壓電(diàn)壓測量裝置的(d£π e)校(xiào)驗
ZC-540直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)輸出電(diàn)壓應經認可(kě)的(de)直流高(g±↕∏āo)壓标準測量裝置校(xiào)驗，其測量的(de)不(bù)确定度應'★₹不(bù)大(dà)于3%。
1.3.1.2 高(gāo)壓側電(diàn)流測量裝置的(de)校(β↕•↑xiào)驗
高(gāo)壓側電(diàn)流回路(lù)中串接一(yī)塊直流标準電(diàn)流表進 ↕±₩行(xíng)校(xiào)驗，标準電(diàn)流表的(de)準确度應比σ↔ 高(gāo)電(diàn)壓側電(diàn)流測量裝置标稱的(de)準确度高(gāo)兩♦≤"級，高(gāo)電(diàn)壓側電(diàn)流測量裝置的(de)測量不(bù)确定度₩應不(bù)大(dà)于0.5%。
1.3.1.3 短(duǎn)時(shí)穩定度
ZC-540直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)在開(kāi)機(jī)5min內(nèi)，輸出電(diàn)壓的(de)漂移值應不♥φ(bù)大(dà)于額定輸出電(diàn)壓的™©←(de)1%。
1.3.1.4 校(xiào)驗周期
ZC-540直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì&)應每年(nián)校(xiào)驗一(yī)次。
對(duì)現(xiàn)場(chǎng)搭建的(de)直流高(gāo)壓試驗回路(lù)要('&←<yào)測量紋波系數(shù)。
1.3.2.1 用(yòng)示波器(qì)測量紋波
圖1-2中高(gāo)電(diàn)壓電(diàn)容器(qì)C隔離(l£β¶>í)直流成分(fēn)，應使Rm≧1/ωC，則紋波成分(fēn)全部出現(xiànγ•)在Rm上(shàng)，示波器(qì)顯示Rm上(shàng)的(de)紋波。如(rú)果♦∞紋波成分(fēn)比較大(dà)，可(kě♠)以在Rm上(shàng)抽頭，按一(yī)定的(de)比例将一(yī)部分(fēn)紋波送至示波器(q<£σ₹ì)。
1.3.2.2 用(yòng)标準電(diàn)容器(qì)和(hé)整流電(ε¶diàn)路(lù)串聯測量紋波
将标準電(diàn)容器(qì)與全波整流器(qì)及微(wēi)安¥"表串聯，接到(dào)被測電(diàn)壓的(de)兩端(見(jiàn)圖1-3)，紋波幅值U±<ε♦s與流過标準電(diàn)容器(qì)的(de)整流電(diàn¥§×)流平均值Is的(de)關系為(wèi)：
Us=Is/2Cƒ &nbsσ→₩♣p; (3)
式中：
C&m£™ dash;—标準電(diàn)容器(qì)的€↑™₩(de)電(diàn)容量；
ƒ—&md™±ash;紋波的(de)基波頻(pín)率。
現(xiàn)場(chǎng)電(diàn)氣設備的( ®<de)絕緣有(yǒu)一(yī)端直接接地(Ω✘dì)的(de)，也(yě)有(yǒu)不(bù)直接接地(dì)的(de)，微(wēi ✘)安表的(de)接線位置視(shì)具體(tǐ)情↔δ$況有(yǒu)下(xià)列數(shù)種接線(&見(jiàn)表1-3)。
表1-3中序号1和(hé)2接線圖測量準确度較高(gāo)， φ宜盡量采用(yòng)。序号3測量誤差較大(dà<σ)，宜盡量不(bù)采用(yòng)，隻有(yǒu)在測量條件(jiàn)受到(dào)♠₽↑ 限制(zhì)時(shí)才采用(yòng)。
| 微(wēi)安表位置 | 序号 | 試驗接線 | 符号說(shuō)明(míng) | |
| 微(wēi)安表接在高(gāo)壓側 | 1 |
 |
DC——高(gāo☆®)電(diàn)壓整流裝置； R——保護電(diàn)阻器(qì)； C——濾波電(diàn)容器(q ←ì)； Rv——高(gāo)值電(diàn)阻器(qì)； PA1——毫安表； PA2—&mdashΩ♦₹≠;微(wēi)安表； Cx——被試品。 |
|
| 微(wēi)安表接在低(dī)壓側 | 被試品對(duì)地(dì)絕緣 | 2 |
 |
|
| 被試品直接接地(dì) | 3 |
 |
||
為(wèi)了(le)防止在試驗過程中₩¶"✔損壞微(wēi)安表，微(wēi)安表應加裝保護，圖1-4為(wèi)其保護接線圖。L、Cm和↑₽(hé)C用(yòng)來(lái)延緩試品擊穿放(fàng)電≠↓π(diàn)的(de)電(diàn)流陡度，防止'微(wēi)安表活動線圈匝間(jiān)短(duǎn)路(lù)或對(duì)磁極放(fà≠€ng)電(diàn)。其中串聯電(diàn)阻r為(wèi)：
r=UF/IdH×1.2 (4)
&nb∞♥sp; r——串聯電(diàn)'∑<♣阻，MΩ；
×∏; UF——放(fàng)電(diàn)管←☆§☆放(fàng)電(diàn)電(diàn)壓，V；
IdH——微(wēi)安表滿刻度值，μA$£。
如(rú)果采用(yòng)外(wài)接短(duǎn)路(lù)開(kāi)關，↓ 一(yī)般隻在讀(dú)表時(shí)方才斷開(kāi)開(kāi)關。
短(duǎn)路(lù)開(kāi)關和(hé)微(wēi)安表的(§'♠de)接線必須正确，洩漏電(diàn)流的(de)引線δφ必須先接到(dào)短(duǎn)路(lδ✔ù)開(kāi)關上(shàng)，然後再用(yòng)導線從(cóng)短(d εuǎn)路(lù)開(kāi)關上(shàπng)引到(dào)微(wēi)安表，以避免試品擊穿和(hé)試品放( < fàng)電(diàn)時(shí)，燒壞微(wēi)安表(見(jiàn)圖1∑£≤-5)。
3.1 容許偏差
如(rú)果試驗待續時(shí)間(jiān)不(bù)超過60s，在整個(g✔•≠è)試驗中試驗電(diàn)壓的(de)測量值應保持在規定電(dià₹ε §n)壓值的(de)±1%以內(nèi)，當試驗持"¶續時(shí)間(jiān)超過60s時(shí)，在整個(gè)過程中試驗電(☆→σβdiàn)壓測量值應保持在規定電(diàn)壓值的(de)±3%以內(nè♦>≠☆i)。
注：容許偏差為(wèi)規定值與實測值之差，它與測量誤差不(bù)≈♥同，測量誤差是(shì)指測量值與真值之差。
3.2 對(duì)測量系統的(de)一(yī)般要(yào)求和γ(hé)現(xiàn)場(chǎng)測量，應符合GB/T 16927.1和(hé)GB€←/T 16927.2的(de)要(yào)求。
當直流電(diàn)壓加至被試品的(de)瞬間(jiān→≥)，流經試品的(de)電(diàn)流有(yǒu)電(diàn)容電(diàn)流、吸收電(dià"n)流和(hé)洩漏電(diàn)流。電(diàn)容電(€✔diàn)流是(shì)瞬時(shí)電(diàn)流，吸收電(diàn)流也§♦∑δ(yě)在較長(cháng)時(shí)間(jiān)內(nèi)衰減完畢，最後逐漸穩定為(↕¶≠λwèi)洩漏電(diàn)流。一(yī)般是(shì)在試驗時(shí)，先把微(wē♣♥λi)安表短(duǎn)路(lù)1min，然後打開(§×↔✘kāi)進行(xíng)讀(dú)數(shù)。對(duì)具有(yǒu)大(dà)電(di"εàn)容的(de)設備，在1min還(hái)不(bù)夠時(shσ™₩í)，可(kě)取3min～10min，或一(yī)直到(dào)電(dià↕§εΩn)流穩定才記錄。但(dàn)不(bù)管σ¶↓φ取哪個(gè)時(shí)間(jiān)，在對(duì)前後所得(de)結果進行(x íng)比較時(shí)，必須是(shì)相(xiàng✔∞)同的(de)時(shí)刻。
絕緣良好(hǎo)的(de)試品，內(nèi)部洩漏電(diàn)流很(hěn♣ ≠)小(xiǎo)。因此，絕緣表面的(de)洩漏和(hé)高(gāo)壓引線的(d₹®e)雜(zá)散電(diàn)流等都(dōu)會(huì≤£δ)造成測量誤差，必須采取屏蔽措施。
對(duì)處于高(gāo)壓的(de)微(wēi)安表及引線，應加屏蔽。 >→
試品表面洩漏電(diàn)流較大(dà)時(shí)，應加屏蔽環予以消除。
如(rú)果采用(yòng)的(de)微¶↑♠(wēi)安表接在表1-3序号3的(de)位置的(de)接線，試驗裝置本身₩→±<(shēn)洩漏電(diàn)流又(yòu)較大(dà)時(shí)，應在×♥未接入試品之前記錄試驗電(diàn)壓各階段的(de)洩漏電(diàn)流♦ ₹φ，然後在試驗結果中分(fēn)别減去(qù)這↓≤(zhè)些(xiē)洩漏電(diàn)流值。
試驗宜在幹燥的(de)天氣條件(jiàn)下(xià)進行(xíng)。&'∑γ
試品表面應抹拭幹淨，試驗場(chǎng)地(dì)應保持清潔。
試品和(hé)周圍的(de)物(wù)體(tǐ)必須有(yǒu)足Ωγ夠的(de)安全距離(lí)。
因為(wèi)試品的(de)殘餘電(diàn)荷會(huì)對(duì)試驗結果≈Ω←☆産生(shēng)很(hěn)大(dà)的(de)影 "(yǐng)響，因此，試驗前要(yào)将試品對(duì)地(dì)直接放(fàng)電(Ω diàn)5min以上(shàng)。
直流耐壓試驗和(hé)洩漏電(diàn)流試驗一(yī)般都(d®±λōu)結合起來(lái)進行(xíng)。即在直☆₽♣<流耐壓的(de)過程中，随著(zhe)電(diàn)壓的(de)≠≠π 升高(gāo)，分(fēn)段讀(dú)取洩漏♥↑§"電(diàn)流值，而在最後進行(xíng)直流耐壓試驗。
對(duì)試品施加電(diàn)壓時(shí)，應從(≥Ωcóng)足夠低(dī)的(de)數(shù)值開(kāi)始，然後緩慢(màn)地($↑dì)升高(gāo)電(diàn)壓，但(dàn)也(yě)不(bù)必太慢(∏γmàn)，以免造成在接近(jìn)試驗電(diàn)壓時(∞>shí)試品上(shàng)的(de)耐壓時(shí)間(jiān)過長(↓✘λcháng)。從(cóng)試驗電(diàn)壓值的(de)7∑>♦β5%開(kāi)始，以每秒(miǎo)2%的(de)速度上(shàng)升$，通(tōng)常能(néng)滿足上(shàng)述要(yào)®✔求。
将試驗電(diàn)壓值保待規定的(de)時(shí)間(jiān)後，如(βλ×rú)試品無破壞性放(fàng)電(diàn)，微(wēi)安表指針沒有(yǒu)向增大(d♠✔à)方向突然擺動，則認為(wèi)直流耐壓試驗通'α₽α(tōng)過。
溫度對(duì)洩漏電(diàn)流的(de♣σε)影(yǐng)響是(shì)極為(wèi)顯著的(de)。因此，最好≈₹β™(hǎo)在以往試驗相(xiàng)近(jìn)的(♥↔de)溫度條件(jiàn)下(xià)進行(xíng)測量，以便于進行(xíng)分π☆•(fēn)析比較。
洩漏電(diàn)流的(de)數(shù)值↔♣，不(bù)僅和(hé)絕緣的(de)性質± ←、狀态，而且和(hé)絕緣的(de)結構、∏¶¥¥設備的(de)容量等有(yǒu)關，因此，不(bù)能 ♥✔(néng)僅從(cóng)洩漏電(diàn)流的(de)絕對(duì)值泛泛地(Ωδ✘÷dì)判斷絕緣是(shì)否良好(hǎo)，重要(✘≠≥yào)的(de)是(shì)通(tōng)過觀察其溫度特性、時(sh Ωβí)間(jiān)特性、電(diàn)壓特性及長(cháng)期以來(lái)的$•(de)變化(huà)趨勢來(lái)進行(x₩→íng)綜合判斷。
試驗完畢，切斷高(gāo)壓電(diàn)源，一(yī)般需待☆β試品上(shàng)的(de)電(diàn)壓降至1 ∑★®/2試驗電(diàn)壓以下(xià)，将被試品經電(di♥&↑αàn)阻接地(dì)放(fàng)電(diàn)，最後直接接地(dì)放("•fàng)電(diàn)。對(duì)大(dà₹¶)容量試品如(rú)長(cháng)電(diàn)纜、電(diàn)容♣↕←器(qì)、大(dà)電(diàn)機(jī)等，需長(cháng)時(shí)™©§間(jiān)放(fàng)電(diàn)，以使試品上(shàng)的(de)充電(d♥δiàn)電(diàn)荷放(fàng)盡。另外(wài)，γ↔£δ對(duì)附近(jìn)電(diàn)氣設備，有(yǒu)感應¥$∞₽靜(jìng)電(diàn)電(diàn)壓的(de)可(kě)能(n∑→éng)時(shí)，也(yě)應予以放(fàng)✘ε 電(diàn)或事(shì)先短(duǎn)路(lù)。經過充分(fēn∑♣ ↓)放(fàng)電(diàn)後，才能(néng)σ €γ接觸試品。對(duì)于在現(xiàn)場(chǎng)組裝的(de)倍壓整流裝置，要( ±×↕yào)對(duì)各級電(diàn)容器(qì)逐級放(fàng)電(diπ€↓§àn)後，才能(néng)進行(xíng)更改接線€∑或結束試驗，拆除接線。
對(duì)電(diàn)力電(diàn)纜、電(diàn)容器(qì)、發電(diàn)機₽ ∞(jī)、變壓器(qì)等，必須先經适當的(de)放(fàng)電(diàn)電(di•αàn)阻對(duì)試品進行(xíng)放(fà Ωng)電(diàn)。如(rú)果直接對(duì)地(dì)放(fàn ↔g)電(diàn)，可(kě)能(néng)産生(shēng)頻(pín)率極高($ gāo)的(de)振蕩過電(diàn)壓，對(duì)試品的(de)絕緣有(yǒu)危&₹害。放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻視(₽εshì)試驗電(diàn)壓高(gāo)低←₩(dī)和(hé)試品的(de)電(diàn)容而定，必須有(yǒu)足夠的(de)電(di★≥•àn)阻值和(hé)熱(rè)容量。通(tōng)常δ∞采用(yòng)水(shuǐ)電(diàn)阻器(qì)，電(diàn♠π∑)阻值大(dà)緻上(shàng)可(kě)用(yòng)每千伏200Ω～500&÷•Omega;。放(fàng)電(diàn)電(diàn)ε¶阻器(qì)兩極間(jiān)的(de)有(yǒu)∞☆效長(cháng)度可(kě)參照(zhào)高(gāo)壓保護電(diàn)阻器('ε↑÷qì)的(de)表面絕緣長(cháng)度(見(jiàn)表1-2)。放(f§àng)電(diàn)棒的(de)絕緣部分(fēn)總長(chán®☆<®g)度不(bù)得(de)小(xiǎo)于1000mm，其中自(zì)握手護環到(±₽∑dào)放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻器(qì)下(x←§ià)端接地(dì)線連接端的(de)長(cháng)度&iγ<ota;'為(wèi)700mm，握手部分(fēn)為(wèi)300mm，©↑如(rú)圖1-6所示。
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