半波整流電(diàn)路(lù)及其測量接線如(rú)圖1-2所示。一(y✔ ī)般用(yòng)于測量大(dà)容量變壓器(qì)、電(diàn)纜αΩ等洩漏電(diàn)流和(hé)進行(xíng)直流耐壓試驗。
半波整流電(diàn)路(lù)分(fēn)為(wèi)以下(xià)幾部分(f∏≤ ēn)。
這(zhè)部分(fēn)包括試驗變壓器(qì)T2、自(zì)耦式調壓器(qì)T1和(hé)控制(zhì)保護裝置等。理(& ₹lǐ)想情況下(xià),輸出的(de)直流高(gāo)壓U♣€®d=√2U1=√2KU2,式中K為(wèi)試驗變壓器(qì)T2的(de)變比;λ₹U1、U2為(wèi)其一(yī)次二次側電(diàn)壓。當要(yào)求直流高(gāo)壓 ∞準确度高(gāo)時(shí),如(rú'€)用(yòng)于測量避雷器(qì)洩漏電(diàn)流時(shí),必須從(cóng)高(gāo∞•♥•)壓側直接測量直流高(gāo)壓。如(rú)用(yòng)換算(suàn)值≠✔則可(kě)能(néng)誤差較大(dà)。
整流部分(fēn)包括高(gāo)壓矽堆和(hé)穩壓電(d ←∏σiàn)容器(qì)(濾波電(diàn)容器(qì))₽☆→,作(zuò)用(yòng)是(shì)整流濾波,獲得(de)較理(lǐ)想的(de)★✔π直流波形。一(yī)般情況下(xià),$$✔♦高(gāo)壓矽堆的(de)額定反峰電(diàn↓♠ε§)壓應大(dà)于所加最高(gāo)交流電(diàn)壓有(yǒ✘±$£u)效值的(de)2√2倍,額定電(diàn)流♥←♥ 也(yě)應滿足試驗電(diàn)流的(d☆>e)要(yào)求。
多(duō)隻矽堆串聯時(shí),為(wèi)了(le)使每隻矽堆$π電(diàn)壓分(fēn)配均勻,需并聯均壓電(diàn)阻R,其數(shù)值一(yī)般為(∞∏₩wèi)矽堆反向電(diàn)阻的(de)1/3~1/4倍。
穩壓電(diàn)容器(qì)電(diàn)容C的(de)選擇:當試驗電♣↑>(diàn)壓為(wèi)3~10kV時(sh↑<í),C>0.06μF;15~20kV時(s≥✔hí),C>0.015μF;30kV以上(shàng)時(shí),C>0.01&✔®mu;F。
因大(dà)容量設備,如(rú)大(dà×✘)型發電(diàn)機(jī)、變壓器(qì)、電(diàn)纜σ←λ等試品本身(shēn)電(diàn)容量較大(dà),測量其洩漏電(diàn)流或進行(xí♣♥₽÷ng)直流耐壓試驗時(shí),可(kě)以不(bù)加穩壓電(diàn)容。¶☆
保護電(diàn)阻R1的(de)作(zuò)用(yòng)是(shì)限制(z≥×hì)被試品擊穿時(shí)短(duǎn)路(lù)電(diàn)流,保護試驗變壓器(qì)、矽堆ε×$及微(wēi)安表。一(yī)般采用(yòng≠")水(shuǐ)電(diàn)阻作(zuò€)為(wèi)保護電(diàn)阻。選用(yòng)原則是(shìεγ€):當試品擊穿時(shí),既能(néng)将短(duǎn)路(lù)電£δ∞(diàn)流限制(zhì)在矽堆的(de)最大(dà)允許電(diàn)流之內(nèi),又(δε©yòu)能(néng)使控制(zhì)保護裝置的(de)過流保••₹護可(kě)靠動作(zuò)。正常工(gōng)作(zuò)時(shí)水(≠±shuǐ)電(diàn)阻上(shàng)壓降不(bù)宜過大(↑☆₽←dà)(應在試驗電(diàn)壓的(de)1→"× %以下(xià)),一(yī)般按10Ω/V取值。試驗中常用(yòng)有★♣♥(yǒu)機(jī)玻璃管、透明(míng)硬塑料管沖水(shuǐ)制(zh ≈♣£ì)成,其表面爬電(diàn)距離(lí)常按3~4kV/cm考慮。
微(wēi)安表用(yòng)于測量洩漏電(diàn)流。表的(de)量程可("§☆kě)以根據試品的(de)種類适當選擇。在測量中微(wēi)安表有(yǒu)三種接線方式:✔€
(1) 微(wēi)安表接在試品高(gāo)壓端,如(rú)圖1-≥♠¶×2中PA1位置。
這(zhè)種接線的(de)有(yǒu)點是(shì)測出的(de)洩漏電(di€φ←"àn)流準确,排除了(le)部分(fēn)雜(zá)散電₩&(diàn)流的(de)影(yǐng)響,接線簡單。缺點是(s♠×hì)微(wēi)安表處于高(gāo)電(diàn)位,必須有(yǒ≤γu)良好(hǎo)的(de)絕緣屏蔽;微(wēi↕α)安表位置距離(lí)實驗員(yuán)較遠(yuǎ♣★ ₽n),讀(dú)數(shù)不(bù)便,↕↓ε更換量程不(bù)易。另外(wài),有(yǒu)一(yī)些↓ (xiē)微(wēi)安表頭在高(gāo)電(diàn)壓磁場(chǎn₹λg)下(xià)易極化(huà),造成較大(dà)的(de)測量誤差。在被試品接地(dì)端無φ<法斷開(kāi)時(shí)常采用(yòng)這(zhè)種接線。
(2) 微(wēi)安表接在高(gāo)壓試驗變壓器(qì)T2的(de)一(yī)次(高φ&(gāo)壓)繞組尾部,如(rú)圖1-2中PA2位₽₽置。
這(zhè)種接線的(de)微(wēi)安表處于低(dī)電(di✘↕Ωàn)位,具有(yǒu)讀(dú)數(shù)安全、切換量程方便等優點。一(yī)般成套直♣$流高(gāo)壓裝置中的(de)微(wēi)安表采用(yòng)這(zhè)種接線≥ σ。這(zhè)種接線的(de)缺點是(shì)高(gāo)壓導線等對(duì)地(dì)部↓εδ分(fēn)的(de)雜(zá)散電(diàn)流≥♠♥均通(tōng)過微(wēi)安表,測量結果誤差較大(dà) ±≠,如(rú)圖1-3所示。
(3) 微(wēi)安表接在試品低(dī)壓端,>∞如(rú)圖1-2中PA3位置。
當被試品的(de)接地(dì)端能(néng)φ"♦與地(dì)斷開(kāi)并有(yǒu)絕緣時(shí)(如(rú)避雷器(qì)),可(kě)≤×♥≥采用(yòng)這(zhè)種接線方法。這(zhè)種接線的(de)微(wēi)安表處于低™∞(dī)電(diàn)位,高(gāo)壓™引線等部分(fēn)雜(zá)散電(diàn)流不(b♦↑ù)經過微(wēi)安表,讀(dú)數(shù)、切換量程方便,屏蔽容易。推薦盡可(kě)能₩∏(néng)采用(yòng)這(zhè)種接線。
一(yī)般專用(yòng)的(de)微(wēi)安表保護回₽ $£路(lù),如(rú)圖1-4所示。圖中C1是(shì)濾波電(diàn)容,濾掉測量回路(lù)中的(de)交流分(fēn)&≠λ<量并保證放(fàng)電(diàn)管穩定放(fàng)電(diàn),減少(₽φ→shǎo)指針擺動,便于讀(dú)數(shù)。其數(shù)值可(kěδ&σ)為(wèi)0.5~5μF/150V。當回路(lù)中出現(xiàn)•♦超過微(wēi)安表量程的(de)洩漏電(diàn)流時(shí),放(σ fàng)電(diàn)管迅速放(fàng)電(diàn),将微(wēi)安表兩端短(☆↔duǎn)路(lù)。以保護微(wēi)安表。放(fàng)電(diàn)管放(fàng)電(↓≈diàn)電(diàn)壓一(yī)般約50~100V。
R1為(wèi)增壓電(diàn)阻、微(wēi)安表流 ← ∞過較大(dà)電(diàn)流時(shí),增壓電(diàn)阻R1增加放(fàng)電(diàn)管兩端壓降€↑↑₩,使放(fàng)電(diàn)管放(fàng)電(diàn)¶♠β。R1的(de)數(shù)值可(kě)按下(xià)式&✔計(jì)算(suàn)
R1=U/I×106,Ω
式中 U——放(fàng)電(diàn)βε管實際放(fàng)電(diàn)電(diàn)壓,V;
I&mda♣×∑sh;—微(wēi)安表滿量程電(diàn)流,∑×≥μA。
電(diàn)感線圈L一(yī)般取1H左右。其作(zuò)用(yò≈∞↕ng)是(shì)防止突然短(duǎn)路(lù)時(shí)放>←(fàng)電(diàn)管來(lái)不(bù)≠δ≈¶及動作(zuò),沖擊電(diàn)流損壞微✔÷★(wēi)安表。通(tōng)常電(diàn)感線圈可(kě)用(yòng) ∞♦電(diàn)能(néng)表電(diàn)壓線圈或小( ₽↕xiǎo)變壓器(qì)繞組代替。
當需要(yào)較高(gāo)的(de)直流高(gāo)壓時(shδαγ£í),如(rú)對(duì)35kV電(diàn)纜進÷α" 行(xíng)直流耐壓試驗,對(duì)110kV及以上(shàng)磁吹及氧化∑"₹↑(huà)鋅避雷器(qì)進行(xíng)洩漏♠∑₩電(diàn)壓試驗時(shí),就(jiù)要(yào)采用(yòng)倍壓及三級串接↑☆↑₹整流,其接線如(rú)圖1-5所示。
倍壓整流[見(jiàn)圖1-5(a)]可(kě)以輸出對(duì)地(d©αì)為(wèi)2Umax的(de)直流高(gāo)壓。其原理(lǐ↕≤∏∞)為(wèi):當電(diàn)源電(dγ♦"iàn)壓為(wèi)正半波時(shí)(變壓器(qì)接地(dì)端為(wèi)負),變壓器→≥☆£(qì)經過矽堆V1導通(tōng),對(duì)C1充電(diàn)到(dào)Umax;負半波時(shí),變壓器(qì)與電(diàn)容C1的(de)電(diàn)壓疊加,經矽堆V2對(duì)電(diàn≥>")容C2充電(diàn),如(rú)果C1≥C2,則C2經過一(yī)個(gè)周波充到(dào)π✘ 2Umax;一(yī)般C1=C2,所以C2經若幹周波後充到(dào)2Umax,即為(wèi)變壓器(qì)輸出電(diàn)壓峰值的(→ ©de)2倍。串接式整流裝置也(yě)是(shì♥↕)根據以上(shàng)原理(lǐ)制(zhì)成的(de),其接線如(rú)圖1-5(b)所★✘¶示。理(lǐ)想情況下(xià)(即不(bù)考慮效率及損耗),圖中1、2、3電(dià✘n)的(de)對(duì)地(dì)電(diàn)壓值分(fēn)别可(® ♦kě)達到(dào)2Umax、4Umax、8Umax。
近(jìn)年(nián)來(lái),随著(zhe)電(diàn)子(z♣₽¶"ǐ)技(jì)術(shù)的(de)廣泛應用(yòng),研制(zhì)出了(le)晶體(tǐ) σ 管直流高(gāo)壓試驗儀器(qì)和(hé)'§以倍壓整流産生(shēng)高(gāo)壓或經可(kě)控矽逆變器(qì)再進行(xíngλ€ )倍壓整流獲得(de)高(gāo)壓的(d∑₹e)直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)。如(rú)我公司自(zì)行(xíng)研發生(shēng)産的(de)Z§≠β€C-540系列直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì),電(diàn)壓等級從(cóng)60₽♦~400kV,且設備體(tǐ)積小(xiǎo),重量σ×<輕,廣泛應用(yòng)于試驗現(xiàn)場(chǎng)。其使用(yòng)與操作(zuò)可 ₩>>(kě)參照(zhào)ZC-540系列直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)說(shuō)明(míng)書(shū)進行(xíng)∞↕₹。
ZC-540系列直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)是(shì)根據新的(de€λ)中國(guó)電(diàn)力行(xíng≠☆¥)業(yè)标準DL/T848.1-2004《直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)☆±通(tōng)用(yòng)技(jì)術(shù)條件(jià₩£←n)》設計(jì)制(zhì)造的(de)新一(yī)代便攜式直流高(gāo)壓試驗器(qì)₹₽→。主要(yào)适用(yòng)于電(diàn)力部®£≥"門(mén)、廠(chǎng)礦企業(yè)動力部門€φ£™(mén)、科(kē)研單位、鐵(tiě)路(lù)、化(huà)工(gōng)、發電(diàn>£♠)廠(chǎng)等對(duì)氧化(huà)鋅避雷器(qì)、磁吹避雷≥器(qì)、電(diàn)力電(diàn)纜、發電(dià←βn)機(jī)、變壓器(qì)、開(kāi)關等高(gāo)壓電(diàn) ♣εΩ氣設備進行(xíng)直流耐壓試驗。采用(yòng)中頻(pín)倍壓電(di↓®★àn)路(lù),PWM中頻(pín)脈寬調制(zhì)技(jì)術(shù),使電(diàn)壓♠Ω®§穩定度大(dà)幅度提高(gāo)。根據電(diàn)磁兼容性理(lǐ)論,采用(y"òng)特殊屏蔽、隔離(lí)和(hé)接地(dì)等措施,使直流高(gāo$ ♥♥)壓發生(shēng)器(qì)在額定電(diàn)壓下($★ε≈xià)放(fàng)電(diàn)而不(bù)損壞儀器(qì)。
直流高(gāo)壓的(de)測量方法一(yī)般有(yǒu)以下(&↔xià)幾種:
在半波整流電(diàn)路(lù)中,通(tōng)過ZC$•-501A試驗變壓器(qì)的(de)變比及測量變壓器(qì)低(dī)壓側電(diàn)×¶壓,可(kě)近(jìn)似換算(suàn)出直流高(gāo♣ ♣®)壓值,即:
&®¥®♥nbsp;UDC=√2KU2
式中 UDC——被試品上(shàng)所加直流電₹☆ ✘(diàn)壓,V;
K——φδ≈變壓器(qì)變比;
&nbs₹≤§"p; U2——變壓器(qì)低(dī)壓&&÷側電(diàn)壓有(yǒu)效值,V。
這(zhè)種測量方法由于忽略了(le♥₹)被試品的(de)洩漏電(diàn)壓及保護電(diàn)阻的(de)壓降等,精度不(©¥♥bù)高(gāo)。在對(duì)直流高(gāo)壓精度要(yào)求不(bù)高(gā€≠o)時(shí)可(kě)采用(yòng)。
對(duì)不(bù)同範圍的(de)直流高(gāo)壓選用(yòng)不≈≥&(bù)用(yòng)量程的(de)高(gāo)壓靜(jìng)電(♣☆•diàn)電(diàn)壓表,可(kě)以直接測出輸出電(diàε≤n)壓。這(zhè)種測量雖精度較高(gāo),但(dàn)由于現(xiàn)場(chǎnβγ>g)使用(yòng)不(bù)便,一(yī)般隻在室內(nèi)試驗時(shí)采用(y∑γφδòng)。
圖1-2示出的(de)高(gāo)壓測量就(jiù)是(shì)采用(∏✘ yòng)高(gāo)壓電(diàn)阻R串聯微(wēi)安表PA的(π&★de)測量方法。這(zhè)種方法的(de)優點是(shì)高(gāo)壓♥∑♥₩直接測量,測量範圍很(hěn)廣,高(gāo)電(diàn)阻經過嚴格校(xi€♣♦∑ào)定以後,測量精度也(yě)可(kě)↔ελ以保證。測量原理(lǐ)就(jiù)是(s∞≤hì)根據歐姆定律。
電(diàn)阻R可(kě)采用(yòng)金(jīn)屬膜電(diàn)阻、碳膜電♥(diàn)阻,要(yào)求阻值穩定,随溫度變化(huà)電(di ₽&àn)阻作(zuò)有(yǒu)規律的(de)變化(huà)或不(bù)變化(huà)。電(§♣εdiàn)阻容量及表面爬距也(yě)負荷測量電(diàn)壓的(de)要(yà←ε≈o)求。一(yī)般應将電(diàn)阻裝在密封絕緣筒內(nèi),并采取≥♦≠良好(hǎo)的(de)均壓措施,如(rú)裝防暈帽、防暈環。絕緣筒表面應絕緣良好(hǎo),減÷γ少(shǎo)電(diàn)阻本體(tǐ)表面及絕緣表面的(de)洩漏電÷₹(diàn)流。必要(yào)時(shí),微(wēi)安表 ¥♦®應進行(xíng)屏蔽。
如(rú)圖1-6所示,用(yòng)一(y♥↕₩ī)高(gāo)值電(diàn)阻R1串聯一(yī)等值電(diàn)阻R2測量R2上(shàng)電(diàn)壓U2,再根據分(fēn)壓器(qì)的(de)分(fēn)壓比K=(R1+R2)/R2,計(jì)算(suàn)出被測高(gāo)壓U1=KU2=(R1+R2)/R2×U2。為(wèi)安全起見(jiàn),在R2電(diàn)阻兩端并聯一(yī)低(dī)壓放(fàng)電(diàn)管。
球隙測量直流高(gāo)壓的(de)方法與交流電(diàn)壓測量方法基本↕£↔相(xiàng)同。一(yī)般在直流電(diàn)壓很(hěn)高(§≈εΩgāo)時(shí)采用(yòng)這(zhè)種測量方法。