電(diàn)容式電(diàn)壓互感器(qì)由電(diàn)容分(fēn)壓器↓¶ (qì)、電(diàn)磁單元(包括中間(jiān)變壓器(qì)和(hé)×φ₩§電(diàn)抗器(qì))和(hé)接線端子(zǐ)盒組成,其原理(≤ ©lǐ)接線如(rú)圖1-1所示。有(yǒu)一(yī)種電(diàn)容φ↑式電(diàn)壓互感器(qì)是(shì)單元式結構,分(fēn)壓器(qì)和(hé)電(±'±≈diàn)磁單元分(fēn)别為(wèi)一(yī)單元,可(kě)在現(xiàn)場(✘↔±₽chǎng)組裝,另有(yǒu)一(yī)種電α₽(diàn)容式電(diàn)壓互感器(qì)為(wèi)整體(tǐ£)式結構,分(fēn)壓器(qì)和(hé)電(diàn)磁單φ♣元合裝在一(yī)個(gè)瓷套內(nèi),無法使電(diàn)磁單元同≤λ÷電(diàn)容分(fēn)壓器(qì)兩端斷開(kāi)。
(1) 主電(diàn)容的(de)C1和(hé)tanδ的(de)測量βεπ₽。對(duì)于220kV及以上(shàng)電(d÷∏$♣iàn)壓等級的(de)CVT,其主電(diàn)容大(dà)多(duō)✘₩★★是(shì)多(duō)節串聯的(de),對÷↓♣(duì)于上(shàng)面C1各節,應用(yòng)正接線測量。下(xià)面重點說(shuō)明(mí∏₽ng)與電(diàn)磁單元連接的(de)部分(fēn)的(de)測量。γ>≠φ 測量主電(diàn)容的(de)tanδ和(hé)C1,的(de)接線如(rú)圖1-2所示。由中間(jiān)變壓器(qì)勵磁加壓,加壓 ÷♦繞組一(yī)般選擇額定輸出容量最大(dà)的(de)二次繞組π<'。XT點接地(dì),分(fēn)壓電(diàn)容C§×2的(de)“δ”點接高(gāo)壓電(diàn)橋β ₹↑的(de)标準電(diàn)容器(qì)高(gāo)壓端,主電(diàn)σ∑☆®容C1高(gāo)壓端接高(gāo)壓電(diàn)橋的(de)“C£φx”端,按正接線法測量。由于“δ&≈"rdquo;點絕緣水(shuǐ)平所限,←©試驗電(diàn)壓不(bù)超過2kV。此時(shí)C2與Cn串聯組成标準支路(lù)。一(yī)般Cn的(de)tanδ≈0,而C♣♥"2≥Cn,故不(bù)影(yǐng)響測量結果。
(2) 分(fēn)壓電(diàn)容C2和(hé)tanδ的(de)測量。測量分(f£±ēn)壓電(diàn)容C2和(hé)tanδ2的(de)接線圖如(rú)圖1-3所示。由中間(j∏γ₽×iān)變壓器(qì)勵磁加壓。XT點接地(dì),分(fēn)壓電(diàn)容C2的(de)“δ”點接高(gāo)壓電(diàn)橋γπ的(de)“Cx”端,主電(diàn)容C1高(gāo)壓端與标準電(diàn)容Cn高(gāo)壓端相(xiàng)接,按正接線法×β±測量。試驗電(diàn)壓應在高(gāo)壓側測量。此時(shí),C1與Cn串聯組成标準支路(lù)。
若在測量C2和(hé)tanδ2時(shí),電(diàn)橋電(diàn)壓升到(dào)10kV,由∞®↓→于C2電(diàn)容量較大(dà),作(zuò)試驗電(d∑≠iàn)源用(yòng)的(de)中間(jiān)變壓器(q∞£"ì)T1繞組中的(de)電(diàn)流值,可(kě)能(néng)超過其最大(d↕≤à)熱(rè)容量。因此隻要(yào)求試驗電(diàn)壓能(néng)滿足電(diàn)≈↑橋測量靈敏度即可(kě),一(yī)般2kV~4kV可(kě)達到(dào)要(yào)♥¥↓↑求。 試驗時(shí)加壓繞組一(yī)般選擇中間(jiān)變壓器(qì)T1的(de)額定輸出容量最大(dà)的(de)二次繞組,在測量C2和(hé)tanδ2時(shí),C2和(hé)T1繞組及補償電(diàn)抗器(qì)L電(diàn)感會♣∏(huì)形成諧振回路(lù),從(cóng)而出現(xià©₹≈n)危險的(de)過電(diàn)壓,因此應在加壓繞組間(jiān)接上(s✔✘ ↔hàng)阻尼電(diàn)阻R。
目前,武漢中谷測控生(shēng)産的(de)Ω®πZC-221全自(zì)動抗幹擾介質損耗測試儀能(néng)通(tōng)過一(yī)次試驗接線完成主電(diànγ☆)容的(de)C1和(hé)分(fēn)壓電(diàn)容C2的(de)電(diàn)容量和(hé)介損測量,具體(tǐ)接線參考ZC-221全自(zì)動抗幹擾介質損耗測試儀使用(yòng)說(shuō)明(míng)書(shū€☆×)。
(3) 測量中間(jiān)變壓器(qì)的(de)C和(hé)tanδ用(yòngα ≥)反接線法。将C2末端δ與C1首端相(xiàng)連,XT懸空(kōng),中間(jiān)變壓器(qì)各二≤¥次繞組均短(duǎn)路(lù)接地(dì)按反接 ÷ ₩線測量。由于δ點絕緣水(shuǐ)平限制(zhì),外(β↔πwài)加交流電(diàn)壓2kV,其試驗接線和(hé)等值電(dià≠♣←n)路(lù)見(jiàn)圖1-4。
電(diàn)容分(fēn)壓器(qì)的(de)試驗标準見(ji★<àn)表1-1的(de)規定,中間(jiān)變壓器(qì)的(de)試驗标準按D♣&₩L/T 596電(diàn)磁式電(diàn)壓互感器(qì)規定判斷β£。圖1-4(b)中(C1﹢C2) ≥CT,因此按圖1-4試驗接線✘β☆©圖測得(de)的(de)tanδ近(jìn)似認為(wèi)是(shì)tan&d←↓elta;T,測得(de)的(de)C近(jìn)似認為(wèi)是(shì)CT。
序号 | 項目 | 耦合電(diàn)容器(qì) | 斷路(lù)器(qì)電(diàn)容器(qì) | ||
交接 | 運行(xíng)後 | 交接 | 運行(xíng)後 | ||
1 | 電(diàn)容值偏差 |
(1) 在額定值的(de)-5%~+10%內(nèi); (2) 電(diàn)容器(qì)疊柱中任兩單元的(de)電(d♥∞iàn)容值之比與這(zhè)兩單元額定電(diàn)壓之比值的✘ε★(de)倒數(shù)之差≯5%。 |
(1) 投運1年(nián)內(nèi)在額定值的(de)-5%~+10%內δ&↑(nèi); (2) 投運1~3年(nián),大(dà)于1δ✘02%時(shí)應縮短(duǎn)試驗周期; (3) 一(yī)相(xiàng)中任兩節其值相(xiàng)差≯5%。 |
在額定值的(de)±5內(nèi) | 投運1~3年(nián)及斷路(lù)器(qì)大(dà)修後←↕¶>,其值在額定值的(de)±5%內(nèi)。 |
2 | tanδ | 應符合産品技(jì)術(shù)條件(jiàn)的(de)規定a。 |
投運1年(nián)內(nèi)及1~€σφ3年(nián)周期,10kV下(xià)的(de)tanδ值不(bù)大(dà)于♦ 下(xià)列值: 油紙(zhǐ)絕緣:0.005 膜紙(zhǐ)複合絕緣:0.002 |
應符合産品技(jì)術(shù)條件(jiàn)的(₹±×de)規定 |
投運1~3年(nián)及斷路(l£>ù)器(qì)大(dà)修後,10kV下(xià)的(de)tanδ值→γ不(bù)大(dà)于下(xià)列值: 油紙(zhǐ)絕緣:0.005 膜紙(zhǐ)複合絕緣:0.00₩ε2 |
a 或按JB/T 8169-1999第6.4條規定:電(diàn)容器(qì ☆♣✔)的(de)tanδ應在耐壓試驗後在(0.9~1.1)UN的(de)電(diàn)壓下(xià)用(yòng)能(n₹βσéng)排除由于諧波和(hé)測量電(diàn)路(lù)內(nèi)的(dΩ☆e)附件(jiàn)所引起的(de)誤差的(de)方法進行(xíng)測量。測量準确度應不(bùδ←→)低(dī)于20%。按5.2.4條規定,在第6.4條測得(de)的( ☆de)tanδ值在20℃下(xià)不(bù)大¶λ×γ(dà)于下(xià)列值:紙(zhǐ)介質電(diàn)容器(qì):0.0040;膜× ≥®紙(zhǐ)複合介質電(diàn)容器(qì):γα•★0.0015。 |