高(gāo)壓套管介質損耗因數(shù)tanδ的(de)現(xiàn)場 ÷(chǎng)測試方法

1、試驗條件(jiàn)

本試驗應在良好(hǎo)的(de)天氣，試品及環境溫度不(bù)低±✘↕(dī)于+5℃和(hé)空(kōng)氣相(xiàng)對(duì)濕度不(α€☆→bù)大(dà)于80%的(de)條件(jiàn)下(xià)進行(xíng♦φ)。

2、準備工(gōng)作(zuò)

測試前，應先測量試品各電(diàn)極間(jiān)的(de)∑÷絕緣電(diàn)阻。必要(yào)時(shí)可(kě)對(duì)試品≠★>表面 (如(rú)外(wài)瓷套或電(diàn)容套管分(fēn)壓小(xiǎδ↑Ωo)瓷套，二次端子(zǐ)闆等）進行(xíng)清潔或幹燥處理(l≤γδΩǐ)。了(le)解充油電(diàn)力設備絕緣£₽≥>油的(de)電(diàn)氣、化(huà)學性能(néng) ★"（包括油的(de)tanδ）的(de)最近(jìn)試驗結果。

3、試驗接線

測量裝在三相(xiàng)變壓器(qì)上(shàng)的(de)任一(π↕‍yī)隻電(diàn)容型套管的(de)tanδ₩λ←‌和(hé)電(diàn)容時(shí)，相(xiàng‌δ¶)同電(diàn)壓等級的(de)三相(xiàng)繞組及中性點（若中©÷γ性點有(yǒu)套管引出者），必須短(duǎn)接加壓， >↔将非測量的(de)其他(tā)繞組三相(xiàng)☆↔短(duǎn)路(lù)接地(dì)。否則會(h≠β>uì)造成較大(dà)的(de)誤差。現(xiàn)場(chǎn> ₽g)常采用(yòng)高(gāo)壓電(diàn)橋正接線或武漢中谷測控生(shēng)€®"産的(de)ZC-221介質損耗測試儀測量，将相(xiàng)應套管的(de)測量用(yòng)小(xiǎo)套管引線接至₩γ₽電(diàn)橋的(de)C_x端，或M型介質試驗器(qì)的(de)D點（見(jiàn)♦∏圖1-1），一(yī)個(gè)一(yī)個(gè)地(dì)進行(xíng)™π÷測量。

4、影(yǐng)響測量的(de)因素

(1) 抽壓小(xiǎo)套管絕緣不(bù)良，因其分(fēn)流作(zuò)用&₩δ(yòng)，使測量的(de)tanδ值産生(shēn₩↑g)偏小(xiǎo)的(de)測量誤差。

(2) 當相(xiàng)對(duì) ↓¥₩濕度較大(dà)（如(rú)在80%以上(s​Ω‍hàng)）時(shí)，正接線使測量結果偏小(xφ>iǎo)，甚至tanδ測值出現(xiàn)負值；±ε✘反接線使測量結果往往偏大(dà)。

潮濕氣候時(shí)，不(bù)宜采用(yòng)加接屏 δ'ε蔽環，來(lái)防止表面洩漏電(diàn)流的(de)影(yǐn✘≈"g)響，否則電(diàn)場(chǎng)分(fēn)布被改變，會(huì↑‍γ)得(de)出難認置信的(de)測量結果。有(yǒu)條件(jiàn)時(shí≠→♥‍)可(kě)采用(yòng)電(diàn)吹風(fēng)吹幹瓷表面或待陽光(g≤€¶uāng)曝曬後進行(xíng)測量。

 

(3) 套管附近(jìn)的(de)木(mù)梯、構架、引線等所形成的(de)雜(z→δ↓á)散損耗，也(yě)會(huì)對(duì)測量結果産生(shēng)較大(dà)<✘影(yǐng)響，應予搬除。套管電(diàn)容越小(x↑♦£iǎo)，其影(yǐng)響也(yě)越大(dà)，試驗結果←★往往有(yǒu)很(hěn)大(dà)差别。

(4) 自(zì)高(gāo)壓電(diàn)源接到(dào)試品導電(diàn)杆♥→‌頂端的(de)高(gāo)壓引線，應盡量遠(yuǎn)離♦‍∞ (lí)試品中部法蘭，有(yǒu)條件(jiàn)時(shí)高(gāo)壓引線最好®'®(hǎo)自(zì)上(shàng)部向下(xià)引到(dào)試品，以免雜(zá)散電(φγ★diàn)容影(yǐng)響測量結果。

5、判斷及标準

套管測得(de)的(de)tanδ(%)按DL/T 596進行(xíngφ♥♥)綜合判斷。

判斷時(shí)應注意：

(1) tanδ值與出廠(chǎng)值或初始值比較±♣∏π不(bù)應有(yǒu)顯著變化(huà)。

(2) 電(diàn)容式套管的(de)電(diàn)容值與出廠(chǎng)值或初始值比較一(≠♥γyī)般不(bù)大(dà)于±10%，當此變化(huà)達&plus↔≥<mn;5%時(shí)應引起注意，500kV套管電(diàn)容值允許​×εδ偏差為(wèi)±5%。