CT伏安特性低(dī)頻(pín)法測試原σβ₩≥理(lǐ)

IEC60044-6标準(對(duì)應國(∏φ≠guó)家(jiā)标準GB16847-1977)聲δ↕£♦稱，CT的(de)測試可(kě)以在比額定頻(pín)率低(dī)的↑σ(de)情況下(xià)進行(xíng)，避免繞組和$•≠‌(hé)二次端子(zǐ)承受不(bù)能(néng)容許的(de)電(diàn)壓£↑。

CT伏安特性測量的(de)原理(lǐ)電(dià<↑φn)路(lù)如(rú)下(xià)圖：CT一(yī)次側開(kāi)路(lù)，從(cóε☆♦©ng)二次側施加電(diàn)壓，測量所加→♦電(diàn)壓V與輸入電(diàn)流I的(de)關系曲線。此曲線近(jì✔☆n)似CT的(de)勵磁電(diàn)勢E與勵磁電(diàn)流I★Ω¶ 的(de)關系曲線。

設CT勵磁繞組在某一(yī)勵磁電(diàn)流I時(shí)的(de)激×₹磁電(diàn)感為(wèi)L，激磁阻抗為(wèi)Z，則：

      &nbs₹>p;V＝I•Z

電(diàn)感L與阻抗Z之間(jiān)具有(yǒu)下(xià)述關系：

     ™↔≈  Z＝ω•L＝2πf_L

則：V＝I•2πf_L

由公式中可(kě)見(jiàn)在某一(yī)≠αβ激磁電(diàn)感L時(shí)所加電(diàn)壓V與¶₽​頻(pín)率f成正比關系。

假設當f＝50Hz時(shí)，為(wèi)達到(dào)勵磁電(diàn)流Ix，所需施‌​σ加的(de)電(diàn)壓V_x為(wèi)2000V

       V_x＝Ix•2πf_L＝2000V，

若施加不(bù)同頻(pín)率：

       f＝50Hz，V_x＝2000V

       f＝5Hz，V_x≌200V

     ​₽;  f＝0.5Hz，V_x≌20V

由此可(kě)見(jiàn)需要(yào)使CT進入相(xiàng)同飽和(ε>hé)程度，施加較低(dī)頻(pín)率信号所需電(diàn)壓可(kě)以大(dà)幅度降低♠φ→ (dī)這(zhè)就(jiù)是(shì)變頻(pín)法的(de)基本原理(lǐ)。

在此必須嚴格注意，所需電(diàn)壓并非與頻(pín)率呈線性比例關系，并非随著(zh•$e)頻(pín)率等比例降低(dī)，需要(yào)€♦嚴格按照(zhào)互感器(qì)的(de)精确數(shù)學模型進行(xíng)完整的(deδ♥↓₹)理(lǐ)論計(jì)算(suàn)。