[1] 對(duì)檢出繞組端部絕緣缺陷有(yǒu)較高(↔→"gāo)靈敏度
在交流電(diàn)壓下(xià)和(hé)直流電(dià≥<n)壓下(xià)電(diàn)機(jī)端部絕緣的(de)電(diàn)壓分( ♠₩fēn)布如(rú)圖1-1所示。
在交流電(diàn)壓下(xià)電(diàn)壓的(de)分(fēn)布與電(dià✘¥n)容有(yǒu)關,由于電(diàn)機(jī)絕緣的(de)介電(d$₩iàn)系數(shù)比空(kōng)氣大(dà),而且端部繞組距離(lí)鐵(tiě)心遠(yλ♦≠♣uǎn),所以絕緣層的(de)電(diàn)容Ci比絕緣表面到(dà"£•o)鐵(tiě)心的(de)電(diàn)容Cg大(dà¥&β≥)得(de)多(duō),絕緣層的(de)δ÷容抗比絕緣表面對(duì)地(dì)的(de)容抗小(xi£γ↕ǎo)得(de)多(duō),所以繞組端部絕緣層中的(de)交流電(dià♦→n)壓降UCi要(yào)比絕緣層表面對(duì)地(dì)ε₩的(de)電(diàn)壓降UCg小(xiǎo)得(de)多(duō),不(bù∞∞α)容易檢查出端部絕緣的(de)缺陷。
而直流電(diàn)壓的(de)分(fēn)布與絕緣電(diàn)阻成正比,端>≤∞÷部表面的(de)絕緣在制(zhì)造時(shí)從(cóng)槽口向外(wài)依次噴塗低(d→&∏♥ī)阻、中阻、高(gāo)阻絕緣漆,所以端部絕緣層的(de)絕緣電(diàn)↑"₽ 阻Ri比絕緣表面電(diàn)阻Rg大(dà)得(de)多(duō),絕緣層上(shà✔≥εng)的(de)電(diàn)壓降URi很(hěn)大(dà),表面電(diàn)位' ♣€URg較低(dī),對(duì)檢出端部絕緣層的(de)缺陷≤→★π有(yǒu)較高(gāo)的(de)靈敏度。
由于交流耐壓時(shí)繞組端部絕緣表面電(diàn)壓較高(gāo),• ↓γ所以交流耐壓時(shí)端部電(diàn)暈較大(dà),而直<₹流耐壓時(shí)端部絕緣表面電(diàn)壓較低(dī),一(yī)般δ↑♥不(bù)容易看(kàn)到(dào)電(diàn)暈。
[2] 對(duì)絕緣的(de)破壞性較小(xiǎ∑<'o)
直流耐壓試驗設備輸出的(de)功率一(yī)般都(dōu)很(hěn)小(xiǎo ÷),對(duì)試品的(de)破壞性也(yě)很(hěn)小(xiǎo),∏α而且不(bù)會(huì)象交流耐壓試驗那(n≈βà)樣對(duì)絕緣的(de)破壞存在累積效應。在進行(xíng ↕)耐壓試驗時(shí)首先進行(xíng)直流耐壓試驗,還(ε★↓hái)可(kě)以通(tōng)過監測直流洩漏電(dià¶αn)流的(de)大(dà)小(xiǎo)和(hé)變化(huà)了(le)解絕緣是(shì)否存在•®♣局部缺陷或受潮等可(kě)以處理(lǐ)☆∞¶₩的(de)問(wèn)題,減少(shǎo)在交流耐壓↑Ω時(shí)絕緣擊穿的(de)可(kě)∏ ♥能(néng)性。
發電(diàn)機(jī)絕緣在進行(xíng)直流耐壓和(hé)交流耐壓試驗時(shí)€'φ,它們的(de)擊穿電(diàn)壓值是(shì)不(bù) ₽£←一(yī)樣的(de)。如(rú)果以U> δ₽DB代表直流擊穿電(diàn)壓,以UAB代表交流擊穿電(diàn)壓,它們的(de)比值K通(tōng)常稱為×←↓"(wèi)鞏固系數(shù),即:
K﹦UDB/UAB ☆↓ (6.1)
大(dà)量的(de)試驗統計(jì)數(shù)據說(shuō)明(míng),對(duì)新↔♥♦絕緣來(lái)說(shuō)K值在1.2~2.2的(de)範圍內(nèi),平均值為(w←★♣èi)1.7左右,絕緣無損傷時(shí)K值最大(dà),随著σ∏§(zhe)絕緣損傷深度的(de)增加K值成比例地(dì)減小✔α₽λ(xiǎo);随著(zhe)絕緣的(de)運行(xíng)小(xiǎo)時(shí≠≈)增加,K值也(yě)會(huì)随著(zhe)減小(xiǎo)。也(yě)™↓Ω就(jiù)是(shì)說(shuō),在大(dà)多(d÷γuō)數(shù)情況下(xià)要(yào)擊穿同一(yī)個(gè)絕緣缺陷,所施加∑♥∏>的(de)直流電(diàn)壓要(yào)↕$比交流電(diàn)壓高(gāo)得(de)多(duō)。
根據我國(guó)的(de)實際經驗,K的×δ♣(de)取值為(wèi)1.55~2.2,并據此制(♠≥zhì)定出交流耐壓與直流耐壓的(de)标準。以額≠≠≠ 定電(diàn)壓為(wèi)6kV~24kV的(de)電(diàn)機(jī)為(wèi)例,按 ®'我國(guó)現(xiàn)行(xíng)的(de)交接和(hé)預防性試驗标準,≤λ¶在進行(xíng)定子(zǐ)繞組直流耐壓和(hé)交流耐壓試驗時(shí),K值在1↓£↑.54~1.84之間(jiān)。
如(rú)果交流耐壓值為(wèi)1.5UN(UN為(wèi)發電(diàn)機(jī)額定電(α→diàn)壓),直流耐壓值應為(wèi):
1.5×(1.54~1.84) UN﹦(2.31~2.76) UN &¥>∏nbsp; (6.2)
平均值約為(wèi)2.5UN,現(xiàn)發現(xiàn)有(yǒu)些(x♣↓←•iē)電(diàn)廠(chǎng)在進行(xíng)•∞σ1.5UN的(de)交流耐壓前随意将直流耐壓的(de✔©)數(shù)值降為(wèi)2.0UN,顯然對(duì)後續的(de)交流耐壓是(shì)比較危險的(de),是(shì)不(₽♥σbù)可(kě)取的(de)做(zuò)法。
一(yī)般電(diàn)機(jī)可(kě)以使用(yòng)Z←εγ±C-540直流高(gāo)壓發生(shēng)器(qì)進行(xíng)試驗,試驗接線見(jiàn)圖1-2。
[1] 在正式試驗前應進行(xíng)一(yī)次ε≤₹空(kōng)升試驗,即甩開(kāi)被試驗繞組按每級0.5UN分(fēn)階段升一(yī)次電(diàn)壓,記錄各階段的(de)洩漏電(diàn™✔ ×)流,一(yī)方面可(kě)以檢查試驗設備和(hé)接≈¥線是(shì)否正常,另一(yī)方面可(kě↑$♥)以測量試驗設備本身(shēn)的(de)洩漏電(diàn)流,以便于在正式試驗時(shí÷δσ↕)将所測量的(de)洩漏電(diàn)流減去(qù)空(kōng₹&×¥)升時(shí)的(de)洩漏電(diàn)流。
[2] 正式試驗。試驗電(diàn)壓按每級0.5UN分(fēn)階段升高(gāo),每階段停留1分↔↓(fēn)鐘(zhōng),記錄1分(fēn)鐘(zhōng)時(shí)的(de)洩漏電(diàε≤>↔n)流。
[3] 試驗前應将繞組短(duǎn)路(lù)接地(d€•πì)放(fàng)電(diàn),試驗後應首先将被試繞組通(t↑σōng)過放(fàng)電(diàn)棒放↔•¥(fàng)電(diàn),待電(diàn)壓降到✔γ©₹(dào)一(yī)定數(shù)值後(比如(rú)1000V以下(xià))才能(n$♦éng)将被試繞組直接接地(dì)放(fàng↓&§•)電(diàn)。
[4] 在試驗中應注意觀察洩漏電(diàn)流的(de)變化(huà),如(rú§)果發現(xiàn)洩漏電(diàn)流擺動或急劇(jù)增加,σ↓應停止試驗,待查明(míng)原因後方可(kě)繼續試驗。
[5] 對(duì)于電(diàn)壓較高(gāo)的(de)電(diàn)≈♥≈↓機(jī),在試驗中應采取必要(yào)的(de)措施防止電(diàλ♠n)暈過大(dà)造成洩漏電(diàn)流不(bù)正常。一(yī)般的(de)措施有(yǒu♣↓©)增加高(gāo)壓端與地(dì)端的(de'φδ)距離(lí),如(rú)果距離(lí)不(bù)夠↑®★可(kě)增加絕緣隔闆,避免接線中存在尖端放(fàng)電(diàn) ε↕>等等。
[6] 對(duì)于氫冷(lěng)發電(♦↔¥≈diàn)機(jī)禁止在氫氣置換過程中進行(xíng)試驗。
[7] 高(gāo)壓試驗應遵守相(xiàng)關的(de)安全 工(gōng)作(zuò)規定。