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GIS的(de)回路(lù)電(diàn)阻測量方法

時(shí)間(jiān):2018-01-26 閱讀(dú): 次 來(lái)源:中谷測控
文(wén)章(zhāng)标題:GIS的(d€<e)回路(lù)電(diàn)阻測量方法關  鍵 詞:GIS回路(lù)電(diàn)阻,GIS回路(lù♣π)電(diàn)阻測量方法概      述:GIS試驗包括主回路(lù)電(diàn)阻測量、元件☆ε♣(jiàn)試驗及連鎖試驗、絕緣試驗以及SF6氣體(tǐ)檢測試驗等。GIS是(sh ∞λ✘ì)多(duō)元件(jiàn)的(de)組£​★♦合電(diàn)器(qì),在完成設備組裝和(hé)導體(tǐ)連接後,一(yī)般在抽真空(∏® ≠kōng)充SF6氣體(tǐ)之前進行(xíng‌φ♥)主回路(lù)電(diàn)阻測量,以判斷安裝質量。測得(d☆©§✘e)的(de)主回路(lù)電(diàn)阻值不(bù)應超過産品技(jì)術<₹(shù)條件(jiàn)規定的(de)1.2倍,否則認 Ω為(wèi)接觸不(bù)良需進行(xíng)處理(lǐ)。

GIS試驗包括主回路(lù)電(diàn)阻測量、元件(jiàn)試驗及連鎖試驗、絕緣試驗以及SF6氣體(tǐ ¥ )檢測試驗等。

GIS是(shì)多(duō)元件(jiàn)的(de)組合電(diàn)器(qì),在完成設備Ω‌組裝和(hé)導體(tǐ)連接後,一(yī)₽↓☆φ般在抽真空(kōng)充SF6氣體(tǐ)之前進行(xíng)主回路(lù)電(diàn)Ωλ♣阻測量,以判斷安裝質量。測得(de)的(d"✘→→e)主回路(lù)電(diàn)阻值不(bù)應超過産品技(jì)術(shù)條件(jiàn ✔ )規定的(de)1.2倍,否則認為(wèi)接觸不(bù)良需進行(xíng)處理(lǐ)。

因為(wèi)GIS額定電(diàn)流大(d•γ>βà),導體(tǐ)截面積大(dà),用(yòng)電(diàn)橋測量一(y☆<ī)般不(bù)易發現(xiàn)問(wèn)題,所以按DL ♣596-1996《電(diàn)力設備預防性試驗規程》的(de)規定應采用(£<yòng)直流壓降法測量,測試電(diàn)流不(bù)小(xiǎo)于100A或按照± £(zhào)廠(chǎng)家(jiā)規定。這(zhè)樣即準确又(yòu)易發現(xiàn)÷←接觸不(bù)良的(de)問(wèn)題。

若GIS有(yǒu)進出線套管,可(kě)利→₽φφ用(yòng)進出線套管注入測量電(diàn)流進行(γ©π✔xíng)測量。

若GIS接地(dì)開(kāi)關導電(diàn)杆與外(wài)殼絕緣,引到&£(dào)金(jīn)屬外(wài)殼的(de)外(wài)部以後再接地(dì),測量時(shí↓&α)可(kě)将活動接地(dì)片打開(k©Ωāi),利用(yòng)回路(lù)上(shàng)的(de)兩組接地≥ ≥∑(dì)開(kāi)關導電(diàn)杆關合到&'₽♠(dào)測量回路(lù)上(shàng)進行(xíngαΩ±)測量;

若接地(dì)開(kāi)關導電(diàn)杆與外§γ ¥(wài)殼不(bù)能(néng)絕緣分(fēn)隔時(shí),可(kφ♠ě)先測量導體(tǐ)與外(wài)殼的(de)并聯電(diàn)阻R0和(hé)外(wài)殼的(de)直流電(diàn)阻R1,然後按以下(xià)公式換算(suàn)回路(lù)電(€£ ≈diàn)阻R

      &nbs$↕♣←p;R=(R0R1)/(R1-R0)

基于直流壓降法時(shí),可(kě)采用(yòng)直流電(diàn)源、分(fē ↓‌γn)流器(qì)和(hé)毫伏表測量回路(lù)電←​(diàn)阻,也(yě)可(kě)采用$'¥(yòng)ZC-302回路(lù)電(diàn)阻測試儀來(lái)進行(xíng)測量。二者基σ"本原理(lǐ)一(yī)緻,測量時(shí)應注意接線¶←←♦方式帶來(lái)的(de)誤差,ZC-302回路(lù)電(diàn)阻測試儀電(diàn)壓測量線應在電(diàn)流輸出線的(de)內(​∞nèi)側,且ZC-302回路(lù)電(diàn)阻測試儀電(diàn)壓測量線應接在主回路(lù)正确的(de∞"')位置,否則将産生(shēng)較大(dà)的(de)測量誤差。

在GIS母線較長(cháng)、間(jiān)隔較多(duō),并且有(¥§←≤yǒu)多(duō)路(lù)進出線的(de)情況下(xià&"),應盡可(kě)能(néng)分(fēn)段測量,以便有(yǒu)效地(dì)找到(dào±±≠↕)缺陷的(de)部位。

現(xiàn)場(chǎng)測量的(de)數(s÷ ↑≈hù)據應與出廠(chǎng)試驗數(sh↔→'ù)據比較,當被測回路(lù)各相(xiàng)長(cháng)度←ε♥相(xiàng)同時(shí),測得(de)的(de)各相(xiàng)數£​(shù)據應相(xiàng)同或接近(jìn)。

例如(rú),圖1-1所示測量GIS的(de)主回路(lù)λ&電(diàn)阻時(shí),可(kě)以首先測量A1-A2之£Ω間(jiān)的(de)電(diàn)阻,若三相(xi£∑¥àng)測量數(shù)據與出廠(chǎng)數(shù)據→÷☆差别較大(dà)或三相(xiàng)數(shù)據差别較→☆大(dà),應對(duì)測量回路(lù)分(fēn)段,以找到(dào)有(yǒu)安裝缺陷←≠的(de)部件(jiàn)。如(rú)從(cóng)B、C兩點通(βΩtōng)電(diàn)測量,可(kě)以判斷斷路(l±↔ù)器(qì)QFl的(de)接觸情況;從(cóng)D、E兩點通(tōng)電(dià↔ ​×n)測量回路(lù)電(diàn)阻,可(kě)以準确判斷斷路(lù)器(qì)±<α✔QF2的(de)接觸情況。

某GIS的(de)主接線圖
圖1-1 某GIS的(de)主接線圖
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